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德国慕尼黑——2018年7月13日最高的质量标准和行业领先的半导体组件通过创新和制造:2008年,英飞凌科技股份有限公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)开始批量生产的第一bulk-CMOS无线电频率(RF)开关。 然后在5 g时代的黎明,英飞凌的精密组合和产品收到了前所未有的欢迎从世界各地的无线市场的创新者。 到目前为止,该公司达成了一项年度增长率远高于十亿零一年累积的五十亿年无线电频率bulk-CMOS出口转向价值客户。 “知识和遗产在半导体制造,英飞凌成为所有原始设备的首选合作伙伴和设计制造商和芯片组分销商,“菲利普·冯·Schierstaedt说,副总裁和总经理在英飞凌射频系统。 “压倒性的市场接受突显出我们的射频前端系统的理解,我们的技术力量,一流的质量和供应保证英飞凌交织的生产战略。” Bulk-CMOS提供多个产品集成优势。 因为引入“固态”在1960年代,为射频开关设计技术分为两类:机电开关(MEMS)和固态开关。 开关速度低,弱的可重复性和可靠性MEMS自动排除5 g应用程序从一个理想的候选人。 同时,科学努力促进固态技术方案。 与砷化镓和氮化镓相比,基于bulk-CMOS transistor-to-transistor逻辑表现最好的集成能力。 这最终使对空间设计在印刷电路板上。 不像其他的替代品,bulk-CMOS既不需要额外的氧化层,和不同的材料作为晶片处理的一部分,这意味着直接的经济效益。 5 g电信的出现将雄心勃勃的挑战技术参数数组的oem和证明omd除了加速行业的整体。 英飞凌是开发更多的产品,促进RF-designers的野心。 可用性 行业领先的电气性能证明可用的样本下一代bulk-CMOS射频开关,新天线交换设备BGSX22G5A10和BGSX33MA16。 批量生产将会在2018年夏末,保证持续供应的射频开关
